造价通
更新时间:2024.10.27
武汉科技大学机械设计基础课后答案(陶)

格式:pdf

大小:829KB

页数: 20页

第 2 章 习题 2-5 计算题 2-5图所示各机构的自由度。并指出图中的复合铰、局部自由度和虚约束。 A B C D E 解答: a) n=7; Pl=10; Ph=0,F=3 7-2 10 = 1 C处存在复合铰链 b) n=7; Pl=10; Ph=0,F=3 7-2 10 = 1 B D E C A c) n=3; Pl=3; Ph=2,F=3 3 -2 3-2 = 1 D处存在局部自由度, d) n=4; Pl=5; Ph=1,F=3 4 -2 5-1 = 1 A B C D E F G G' H A B D C E F G H I J e) n=6; Pl=8; Ph=1,F=3 6 -2 8-1 = 1 B处存在局部自由度, G或 G'处存在虚约束 , f) n=9; Pl =12; Ph=2,F=3 9 -2 12

2011年武汉科技大学考研试题测试技术

格式:pdf

大小:47KB

页数: 3页

第 1 页 共 3 页 二 O 一一年招收硕士研究生入学考试试题 考试科目及代码: 测试技术 803 适用专业: 可使用的常用工具: 普通计算器 答题内容写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效考完后试题随答题纸交回。 考试时间 3小时,总分值 150 分。 姓 名 : 报 考 学 科 、 专 业 : 准 考 证 号 码 : 密 封 线 内 不 要 写 题 一 术语解释 ( 每小题 4分,共 20分) 1、 (半导体材料的 )压阻效应 2、 (测试装置的 )动态特性 3、采样定理 4、(信号 x(t) 的)自相关函数 5、电桥的和差特性 二 判断选择题 (每题 2分,共 20分) 1、半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的( )。 A 压电效应 ; B 涡流效应 ; C 压阻效应 2、以下那种传感器可用于非接触测量( )。 A 涡流式; B 压电式

热门知识

武汉科技大学教工宿舍

精华知识

武汉科技大学教工宿舍

最新知识

武汉科技大学教工宿舍
点击加载更多>>
专题概述
武汉科技大学教工宿舍相关专题

分类检索: