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五位RFMEMS开关延迟线移相器

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文章编号 :1005-6122(2011)02-0084-04 五位 RF MEMS 开关延迟线移相器 * 金 铃 (南京电子技术研究所 ,南京 210013) 摘 要: 设计并研制了一种 6 ~11GHz、超宽带 5 位 RF MEMS 开关延迟线移相器 ,器件实现了 5 位延迟 :λ、 2λ、4λ、8λ、16λ。该器件采用微带混合介质多层板技术 ,分 4层制作 ,尺寸为 45mm×20 mm。整个器件包括 20个 RF MEMS悬臂梁开关 ,用 60 ~75V 的静电压驱动 。6 ~11GHz 频带内 ,对 32 个相移态的测试结果表明 :一般回波损耗 S11 <-10dB,各状态平均插入损耗为 -8 ~-10dB;中心频率处 ,器件可实现的最大延迟位时延为 1680ps,总时延为 3255ps。 关键词 : 开关延迟线移相器 ,微机电系统 (MEMS),悬臂梁开关 ,微波混合介质多层

交直流隔离的分布式MEMS移相器设计

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设计了一种五位分布式微电子机械系统(MEMS)移相器,通过分析对比传统分布式MEMS移相器加载直流偏置的两种方式,提出了一种新的直流偏置的加载方式,能解决传统方式带来的交直流干扰和引线繁杂问题,同时工艺容易实现。采用ADS软件对移相器进行级联仿真,优化了微波性能参数,仿真得出移相器在35 GHz时移相精确度小于3°,移相器的插入损耗小于0.5 dB,回波损耗大于23 dB。给出了五位分布式MEMS移相器的工艺流程,同时验证了所设计加载直流偏置方式工艺简单的优势。

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