碳化硅生产新工艺与制备加工配方设计及技术专利全集 主编：国家专利局编写组 出版发行：中国知识出版社 2011年 规格：全四卷 16 开精装 +1张 CD光盘 定价： 1180元 优惠价： 680元 详细目录 1 200410030786.8 铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制 备方法 2 200410023747.5 一种向缸套铬层内部挤入碳化硅的方法 3 200410012271.5 一种制备碳化硅纳米纤维的方法 4 200410020538.5 黑色碳化硅冶炼降低单位耗料的工艺 5 200410026085.7 一种碳化硅发热元件冷端部的制造方法 6 200410026086.1 酚醛树脂作为结合剂的碳化硅陶瓷常温挤压成形 方法 7 02822412.4 大面积碳化硅器件及其制造方法 8 03125220.6 掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法 9 03138926.0
北京佐思信息咨询有限责任公司 Beijing OKOKOK Information Consulting Co.,Ltd 北京佐思 www.okokok.com.cn 地址：北京市海淀区长远天地 C座 3-502 #, 100080 碳化硅专利分析 -单晶，晶片和外延片制造研究报告 ——SiC Patent Analysis single crystal, wafer and epiwafer manufacturing 1772 patent families to support a $80M business in 2012 ⋯ 1772 PATENT FAMILIES TO SUPPORT A $80M BUSINESS IN 2012⋯ Despite a cumulative raw wafers + epi wafers market that won’t exceed
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