发光 LED 的原理及特性详解 （一） LED 发光原理 -Ⅳ族化合物，如 GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核 心是 PN 结。因此它具有一般 P-N 结的 I-N 特性，即正向导通，反向 有发光特性。在正向电压下，电子由 N 区注入 P区，空穴由 P区注入 N 区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部 分与多数载流子（多子）复合而发光，如图 1所示。 假设发光是在 P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合 发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复 合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于 复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近 PN 结面数 μm 以内产生。理论和实
2012年4月17日,日本知名半导体制造商罗姆株式会社近日面向移动设备和娱乐设备等,成功开发出1.8 mm×1.6 mm小尺寸的小型高亮度反射型3色发光贴片LED＂MSL0301RGBW＂、＂MSL0401RGBW＂。3色发光型LED是在同一个封装中内置光的三原色RGB发光元件，可实现包括白色在内的全彩发光。
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