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更新时间：2024.11.17
设计了一种采用金属支架直接导热的大功率红外发光二极管封装结构。该封装结构通过增加芯片底部金属座的厚度和尺寸,有效改善了散热性能,降低了封装热阻。实验测量表明,大功率红外发光二极管峰值波长为850nm,发光束角10°,典型输入功率为0.5W,最大输入功率可以达到2W以上,最大电光转换效率可达37.82%,最大辐射功率达到415.25mW。
LED发光二极管 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称 LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式 显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单 元都是一个发光二极管。 一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一） LED发光原理 发光二极管是由Ⅲ -Ⅳ族化合物，如 GaAs（砷化镓）、 GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷 化镓）等半导体制成的，其核心是 PN结。因此它具有一般 P-N结的 I-N 特性，即正向导 通，反向 截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下， 电子由 N区注入 P区，空穴由 P区注入 N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部 分与多数载流子（多子）复合而发光，如图 1所示。 假设发光是在 P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发 光中心捕获后，再与空穴复合发光。 除了这种发光
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三极管驱动红外发光二极管
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