为了研究低DO下负荷对污泥膨胀的影响,采用SBR反应器,在DO<0.5 mg.L-1,pH 7.2~8.0,温度(23±0.5)℃,MLSS 3000~3500 mg.L-1,负荷分别为0.22、0.44、0.66 g COD.(g MLSS)-1.d-1的条件下,研究不同负荷下的SVI变化趋势、污泥膨胀类型、引发原因、耗氧速率、脱氮除磷效果与同步硝化反硝化率。结果显示,低DO下(<0.5 mg.L-1),负荷0.22 g COD.(g MLSS)-1.d-1时未发生污泥膨胀,随着负荷升高,污泥沉降性恶化加快。并且不同负荷引发的污泥膨胀类型不同,在负荷0.66 g COD.(g MLSS)-1.d-1时发生黏性膨胀,而负荷0.44 g COD.(g MLSS)-1.d-1时发生丝状菌微膨胀。黏性膨胀时出水氨氮及磷去除效果变差,但丝状菌膨胀时出水水质并没有受到影响,且比吸磷速率更快,出水SS更低。未发生污泥膨胀时同步硝化反硝化率最大,丝状菌膨胀时次之,黏性膨胀时最小。SOUR过高时,很可能伴随着污泥沉降性变差和出水水质恶化。
中、大功率晶体管生产中,晶体管芯片与框架的粘接质量是决定晶体管性能的关键之一。可以说,晶体管芯片制成后,芯片与框架的粘接质量是晶体管成品质量的决定性因素。目前,对于中、大功率晶体管均采用锡基或铅基合金作粘片材料,而且都是将合金制成薄带状。这种带状合金有利于自动化程度较高的粘片机使用,而且对每个晶体管的合金用量基本一致。
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