W25Q32BV Publication Release Date: October 04,2013 - 1 - Revision I 3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI W25Q32BV - 2 - Table of Contents 1. GENERAL DESCRIPTION ............................................................................................................... 5 2. FEATURES ........................................................................................
我们也许在不久的将来,会拥有高速存储器容量超过1TB的智能手机或平板电脑。几年后,你携带的智能手机、平板电脑或笔记本电脑很可能配备数百GB、甚至数TB超高速存储器,这要感谢存储器领域近日取得的两大进展。首先,三星公司宣布如今它在批量生产3D垂直结构NAND(V-NAND)芯片;随后,新兴公司Crossbar表示,它已开发出了电阻式随机访问存储器(RRAM)芯片的原型产品。
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