在纳米工艺的数字集成电路电源版图设计中，根据芯片布局合理进行电源布局、电源个数以及电源布线等方面设计，确保每一个电压域都有完整的电源网络。在电源分析时从电压降、功耗及电迁移评估分析，使设计好的电源网络符合电源预算规划。在可靠性设计时采取布线优化、添加去耦电容、优化封装设计等方法，提高电源抗干扰能力，从而降低电压降、提高电源的完整性和可靠性。
讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在ESD脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时,该保护电路不会导通,因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路。
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