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更新时间:2024.07.08
W25Q128BV中文版

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1,描述 串行 flash 存储器 W25Q128BV 为那些对空间大小,引脚数,功耗有限制的系统提供了 一个存储解决方案。 25Q 系列的灵活性和性能比一般的串行 flash 设备要高。利用串行 FLASH 可以实现代码映射到 RAM ,直接通过 DUAL/QUAD SPI 方式来执行代码,存储 声音,文本,数据。W25Q128BV 供电范围为 2.7—— 3.6V,在激活状态下电流功耗低到 4MA , 睡眠状态下则降低到 1UA。所有的 25Q 系列都提供节省空间的封装。 W25Q128BV 由 65536 可编程的页组成的,每页有 256 个字节。一次最多可以写 256 个 字节。可以一次擦除 16页(4KB sector erase),128 页(32KB block erase),256 页 (64KB block erase),或者擦除一整片。 W25Q128BV 有 40

NDQ1Q2Q2A系列自动转换开关(2016版)

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