介绍了场击穿型触发真空开关的基本结构和工作过程。从场击穿型触发真空开关场致发射击穿机理的分析出发,通过数学建模,引入热力学运动方程,建立了场击穿型触发真空开关的真空放电阴极斑点热传导模型,它可以用来描述和估算场击穿方式下触发真空开关的时延特性。然后以初始等离子体的产生与扩展机理为重点,讨论了场击穿型触发真空开关的时延特性,进行了实验和仿真分析计算,研究表明,所建立的阴极斑点热传导模型其时延计算结果和实验数据较为吻合,证明了计算模型的正确性。
新建文本文档.txt 人类从事将真空作为灭弧和绝缘介质的应用研究，到现在已有一百多年的历史。早在 1893 年，美国人里顿豪斯 (Rittenhause) 就设计出世界上第1 只真空灭弧室并以专利的形式发 表；1920年，瑞典佛加（Birka）公司研制出世界上第一台真空开关； 1926年，加里福尼亚 工学院的索伦森(Sornsen)教授发表了真空开关的试验结果，并预言应用真空开关的时代不 久就会到来。由于当时的真空技术还很落后，使得真空开关在工业上的实际应用被大大推迟 了。 到1950年前后，随着真空技术以及相关技术如冶金技术等的发展，真空灭弧室的制造技 术得到了提高，又重新开始了真空开关在工业上应用的研究。 1956年，罗斯(H．Cross)对杰 宁无线电制造公司(Jenning) 生产的用于高频回路的真空开关进行了改造，试制出了 15kV、 200A的真空开关。 1961年美
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