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更新时间：2025.01.12
本文从实验测量和数值模拟两个方面研究了不同波形、幅值及直流偏置下纹波电流对LED光效的影响。研究了LED的droop因子和电压电流曲线,用数值方法模拟纹波电流对LED光效的影响,并设计实验测量纹波电流对LED光效的实际影响。根据LED的droop效应,载流子溢出使LED外量子效率下降,是纹波电流使LED光效下降的物理机理。
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有很多圆丘,其均方根粗糙度是所有样品中最高的,综合粗化的表面和优化电学特性的p-InGaN接触层的LED光功率提高23%。
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