利用低压 MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的 Al Ga N/Ga N二维电子气 (2 DEG)材料 ,室温和 77K温度下的电子迁移率分别为 94 6和 2 5 78cm2 /(V· s) ,室温和 77K温度下 2 DEG面密度分别为 1.3× 10 1 3和 1.2 7×10 1 3cm- 2 .并利用 Al Ga N/Ga N二维电子气材料制造出了高性能的 HEMT器件 ,栅长为 1μm,源漏间距为 4 μm,最大电流密度为 4 85 m A/mm(VG=1V) ,最大非本征跨导为 170 m S/mm(VG=0 V) ,截止频率和最高振荡频率分别为6 .7和 2 4 GHz
利用低压 MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的 Al Ga N/Ga N二维电子气 (2 DEG)材料 ,室温和 77K温度下的电子迁移率分别为 94 6和 2 5 78cm2 /(V· s) ,室温和 77K温度下 2 DEG面密度分别为 1.3× 10 1 3和 1.2 7×10 1 3cm- 2 .并利用 Al Ga N/Ga N二维电子气材料制造出了高性能的 HEMT器件 ,栅长为 1μm,源漏间距为 4 μm,最大电流密度为 4 85 m A/mm(VG=1V) ,最大非本征跨导为 170 m S/mm(VG=0 V) ,截止频率和最高振荡频率分别为6 .7和 2 4 GHz
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