CMOS差分放大器是现代集成电路设计中一个非常重要的电路结构．由于CMOS差分放大器对其版图设计以及晶体管尺寸非常敏感，CMOS差分放大器设计是模拟电路设计的一个难题．本文利用PowerchipSemiconductorCorp的L110-N工艺实现了不同结构以及不同尺寸的CMOS差分放大器的电路图和版图设计，并利用HSPICE对这些设计进行了后仿真，得到了不同尺寸和版图结构下性能对比结果，对相关领域集成电路设计有很好的指导意义．
在纳米工艺的数字集成电路电源版图设计中，根据芯片布局合理进行电源布局、电源个数以及电源布线等方面设计，确保每一个电压域都有完整的电源网络。在电源分析时从电压降、功耗及电迁移评估分析，使设计好的电源网络符合电源预算规划。在可靠性设计时采取布线优化、添加去耦电容、优化封装设计等方法，提高电源抗干扰能力，从而降低电压降、提高电源的完整性和可靠性。
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