IGBT 并联技术技术详解 IGBT 并联均流问题 影响静态均流的因素 1、并联 IGBT 的直流母 线侧连接点的电阻分量，因 此需要尽量对称； 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二极管芯片的 VF的差异，因此尽量采取同一批次的产品。 3、 IGBT 模块所处的温度差异，设计机械结构及风道时需要考虑； 4、 IGBT 模块所处的磁场差异； 5、栅极电压 Vge 的差异。 影响动态均流的因素 1、 IGBT 模块的开通门槛电压 VGEth 的差异， VGEth 越高， IGBT 开通时刻越晚， 不同模块会有差异； 2、每个并联的 IGBT 模块的直流母线杂散电感 L 的差异； 3、门极电压 Vge 的差异； 4、门极回路中的杂散电感量的差异； 5、 IGBT 模块所处温度的差异； 6、 IGBT 模块所处的磁场的差异。 IGBT 芯片温度对均流的影响 IGBT 芯片的温度对于动态均
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