1 国家科学技术进步奖公示材料 项目名称：功率高压 MOS 器件关键技术与应用 推荐单位意见 推荐意见： 该成果深究功率高压 MOS 器件的耐压与比导通电阻之制约关系， 建立功率高压 MOS器件优化设计理论，其中非全耗尽新模式和 R-阱全域优化法实现功率 MOS 器 件更低比导通电阻；等效衬底模型揭示衬底辅助耗尽效应的物理机制，获得理想衬 底条件提高耐压。 提出横向功率高压 MOS器件衬底终端技术， 解决小曲率导致的低 耐压瓶颈问题。据此，发明并研制出两类新型功率高压 MOS 器件。 该成果创建国内首个功率高压超结 MOS器件量产平台暨全球首个深槽工艺 8英 寸超结 MOS 器件代工平台；建立超低比导通电阻 700V BCD 量产平台和功率高压 SOI量产代工平台。相关工艺平台已为全球 230余家企业提供芯片量产代工服务， 并 为三星、飞利浦等知名整机厂家提供半导体芯片生产服务。应装备急
高压 MSC无功补偿装置器件选择则依据 一、熔断器选择： 依据《 DL 442-1991 高压并联电容器单台保护用熔断器订货技术条 件》中 2.2.4 电阻 熔断器的电阻值应符合制造厂的规定，其偏差值应不超过± 2.5%。 2.2.5 耐压要求 熔丝熔断后，熔断器应能承受表 4 规定的试验电压，历时 1min，不得发生闪络或击穿。 户外型熔断器应进行湿试验。（我们选择 12kV，耐压为 40kV） 2.2.7.1 合闸过程中，电容器端子间的过电压上限值是 2.0 2 Unc ，动作后，熔断器应能承受 这一电压。 注： Unc 为电容器的额定电压。 2.2.7.2 应能在 Umf 下开断规定的容性电流，随后应能承受这个电压加上熔断器动作后电容 器上的剩余电荷所造成的直流电压分量。 在开断过程中，断口间不得出现重击穿。 2.2.8.1 电压要求： 熔断器的额定电压 Umf 不得低于被保护的电容
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