光伏组件的 PID 效应和封装材料的关系 一、前言 随着光伏组件大规模使用一段时间后，特别是越来越多的投入运营的大型光伏电厂运 营三四年后，业界对光伏组件的电位诱发衰减效应（ PID，PotentialInducedDegradation ） 的关注越来越多。 尽管尚无明确的由 PID 原因引发光伏电站在工作三、 四年后发生大幅衰减 的报道，但对一些电站工作几年后就发生明显衰减现象的原因的种种猜测使光伏行业对 PID 的原因和预防方法的讨论越来越多。 一些国家和地区已逐步开始把抗 PID 作为组件的关键要 求之一。 很多日本用户明确要求把抗 PID 写入合同， 并随机抽检。 欧洲的买家也跃跃欲试提 出同样的要求。 此趋势也使得国内越来越多的光伏电站业主单位、 光伏电池和组件厂、 测试 单位和材料供应商对 PID 的研究越来越深入。 其实早在 2005年，Sunpower就发现晶硅型的背接触
为推进可再生能源在建筑上的应用,2010年1月5日,北京市《加快太阳能开发利用促进产业发展指导意见》对外发布,这是北京市首次以政府名义颁布的促进新能源发展的综合性文件,《意见》指出了北京市太阳能发展的主要目标:到2012年,太阳能集热器利用面积达到700万平方米,太阳能发电系统达到70兆瓦,太阳能产业产值超过200亿元;到2020年,太阳能集热器利用面积达到1100万平方米,太阳能发电系统达到300兆瓦。本文将以作者所参与的印度驻华使馆工程项目为背景,对光伏建筑一体化作以简单介绍。
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