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更新时间:2025.02.16
基于超声波的功率半导体高温封装技术介绍

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基于超声波的功率半导体高温封装技术介绍 作者:张曹 天津爱沐阳光科技 一、行业背景 以碳化硅( SiC)和氮化镓( GaN)为代表的第三代功率半导体材料,是近些 年发展起来的新型半导体材料, 具有更宽的禁带宽度、 更好的热导率, 更适合当 前高功率器件的需要。 但高功率、高压的功率器件或模块会带来一个芯片散热的问题。 现有的封装 技术是基于铅基合金, 如典型的 92.5Pb/5Sn/2.5Ag合金,在真空共晶炉中实现芯 片与陶瓷电路板的贴片封装,很难满足散热与耐热冲击要求,主要原因如下: (1)铅基合金的热导率仅为 30-40W/m.k 左右,耐温仅到 250℃ (3)铅基合金还存在含铅、高污染问题。 因此耐高温、无铅化的贴片封装技术一直是业内的研发重点。 一个技术路线是纳米银浆,使用纳米级的银粉末可以低温融化的特点,在 200-300℃左右烧结,在芯片与陶瓷电路板之间形成一个导热的银层,

面向电动车窗/天窗应用的集成嵌入式功率半导体

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如今,电动车窗已成为汽车标准功能之一。即使在成本至上的新兴市场,它也是影响购车者决定的最重要因素之一。多数购车者都将电动车窗视为必备的舒适功能,因此汽车厂商都将其作为一种基本功能。

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