LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（ Wafer Fabrication ）、晶圆针测工序 （Wafer Probe ）、构装工序（ Packaging ）、测试工序（ Initial Test andFinal Test）等几 个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（ Front End）工序，而构装工序、 测 试工序为后段（ Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件 （如晶体管、 电容、逻辑开关等）， 其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关， 但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗， 再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、 金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测 试，提高效率
关于几种常用芯片的比较 3528 芯片：单颗 0.06W，单颗流明 7-9LM 3528 技术稳定成熟， 发热量极低， 光衰小， 光色一致性好， 并广泛应用于 LED 电脑显示器， LED 电视机背光照明使用。 3528 芯片因为亮度高，光线柔和，单颗功率低，发热量低等特点，完全符合 LED 吸顶灯全 面板光源需求， 全面板光源的应用完全弥补了环形灯管光线不均匀， 中间以及外围有暗区的 缺陷，真正实现了无暗区。 5630/6040 芯片：单颗功率 0.5-0.6W，单颗流明 30-50W 新近出现的封装模式， 发光强度及发热量介于中功率和大功率之间， 产量低， 光色一致性较 差，主要用于灯泡，射灯，筒灯，天花灯等高密度灯具，光强很强，炫光感强，很刺眼，必 须配独立的全铝散热器，否则在很短时间内会出现严重光衰，严重影响灯具寿命。 大功率 1W 芯片：单颗功率为 1W，单颗流明 80-90
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