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更新时间:2024.11.18
光伏发电技术

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太阳能并网发电技术 一. 光伏技术以及现代电力电子技术的发展 1.1 太阳能光伏技术的发展概况 进入 90 年代以来,日益恶化的生态环境使得人们逐步认识到,人类必须共同采取行 动走可持续发展的道路。 各国纷纷开始根据国情治理和缓解已经恶化的环境, 并把大力开发 利用可再生能源作为可持续发展的重要内容。 太阳能光伏技术在这种形势下进入了快速发展 的阶段。 自 70 年代开始采用太阳能光伏技术以来,全世界已经安装的光伏发电系统超过了 2000MW。这些光伏发电系统主要集中在通讯、 管网保护、交通信号和边远地区居民供电等。 近几年来, 随着光伏发电系统价格降低和性能提高, 其应用范围也越来越广泛。 不少发达国 家开始实施太阳能光伏发电系统的屋顶计划,系统总装机容量超过了 200MW。其中德国西 门子太阳能公司在慕尼黑建成了 1MW 的世界上最大的太阳能光伏发电系统。与此同时,一 些发展中国家在世

双壳层ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列的光伏应用

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以ZnO纳米棒阵列作为核,通过电化学沉积方法成功制备了致密的单壳层或者双壳层ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdTe和ZnO/CdSe纳米电缆阵列光电极。对于ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列,有序且具有闪锌矿结构的CdSe和CdTe纳米壳层的厚度分别为10-20nm和7-15nm,两者之间形成了连续致密的界面层。利用未接触之前体材料之间的能带偏移和接触之后费米能级的调整,对于双壳层纳米电缆阵列,推导出在CdSe/CdTe和CdTe/CdSe界面的能级调校。对比在ZnO/CdTe/CdSe纳米电缆中CdTe/CdSe界面之间形成的负能带偏压-0.16eV,对于ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆,CdTe的能带在CdSe的能带之上,因而在CdSe/CdTe界面之间成了0.16eV的正导带偏压。这样一个阶梯式的能带排列以及质密的界面接触,不仅使纳米电缆沿着径2向具有很少的晶界,同时沿轴向电子传输速率得到加快。因此,在45mW/cm的AM1.5G模拟光照2下,ZnO/CdSe/CdTe纳米电缆阵列光电极的饱和光电流密度高达~14.3mA/cm,明显高于ZnO/CdTe/CdSe,ZnO/CdSe和ZnO/CdTe纳米电缆阵列。

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