炉管工艺 引言 IC 行业所用的炉管目前主要是垂直式的（水平式的已经很少用了） ，按使用 压力不同分为常压炉管和低压炉管。常压炉管主要用于热氧化制程，热退火， BPSG热回流，热烘烤，合金等诸方面。 低压炉管则主要用于 LPCVD 沉积工艺， 包括多晶硅的形成，氮化硅的形成， HTO 和 TEOS等；HTO 和 TEOS都是用来 生成二氧化硅的。本篇主要介绍炉管的基本知识及有关工艺。 §1. 常压炉管工艺 硅表面上总是覆盖着一层二氧化硅，即使是刚刚解理的硅，在室温下，只要 在空气中一暴露就会在表面上形成几个原子层的氧化膜。 当我们把硅晶片暴露在 高温且含氧的环境里一段时间之后， 硅晶片的表面会生长 （grow）一层与硅附着 性良好，且具有高度稳定的化学性和电绝缘性的二氧化硅—— SiO2。正因为二氧 化硅具有这样好的性质，它在硅半导体元件中的应用非常广泛。 根据不同的需要， 二氧化硅被用于
采用Si粉、Al粉、α-Al2O3粉、棕刚玉颗粒料和细粉、广西粘土等于1450℃保温3h,通氮气下氮化反应合成了β-Sialon,制备了β-Sialon结合刚玉砖。研究结果表明:目标Z值取2.75～3.00范围内可制备合成率较高的β-Sialon;氮化烧结温度在1500～1600℃,采用密封烧结时,广西粘土适合加入量在2%左右;当采用埋碳烧成时,广西粘土适合加入量在1%～1.5%,可以制成性能优良的高炉陶瓷杯砖。
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