MOS 管的构造及 MOS 管种类和结构 随着社会的进步和发展， MOS 管在电子行业的应用越来越广泛，萨科微电子 SLKOR 作为能够研发生产碳化硅 SiC 产品的“碳化硅专家”，必须来科普一下这方面的知 识。 MOS 即 MOSFET 的简写，全称是金属氧化物场效应晶体管。 就是利用输入回路的电场效 应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 MOS 管的构造、原理、特性、符号规则和封 装种类等，大致如下。 1、MOS 管的构造： MOS 管的构造是在一块掺杂浓度较低的 P 型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺 制作两个高掺杂浓度的 N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极 D 和源极 S。然 后在漏极和源极之间的 P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（ Si02）绝缘层膜，在再 这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极 G。这就构成了一个 N 沟道（NPN 型）增强 型 MOS 管
1.共源放大器： 0V C3 10u RL 40k 0A 0V RD 50k 90.49uA 0V C1 10u Vsig 1Vac 0Vdc 0A 0V V2 5Vdc 90.49uA C2 10uM1 M2N6659 0A 90.49uA 0 0V 0 i 0V RG 10MEG 0A 0 0 475.4mV Rsig 1MEG0A 0 Vo -1.833V V1 5Vdc 90.49uA Vi 5.000V RS 35k 90.49uA 由图可知 MOS管偏置点电压 VGS=1.833V ,电流 ID=90.49uA ， 由 output 中 的数据知 Vt=1.8V . Ro=3.5M Ω可求得跨 导 gm=2ID/(VGS-Vt)=5.484mA/V. 可 求 增 益 Gv=gm*(Ro||RD||RL ） *RG/(RG+Rsig)=109.09V/V; Av=gm*(Ro|
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