采用快速热化学气相沉积方法在氧化铝和氮化铝陶瓷衬底上制备多晶硅薄膜及太阳电池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在经过区再结晶后增大且霍尔迁移率提高,但随后的薄膜生长发现薄膜出现裂纹,影响了电池的效率,在Al_2O_3衬底上得到196mV开路电压,1．93mA短路电流；在AIN衬底上得到310mV开路电压,5．31mA短路电流。
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