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更新时间:2024.11.24
5 mm高隔离鳍线单刀双掷开关

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设计并实现了5 mm(U频段)单刀双掷(Single Pole Double Throw,SPDT)开关模块。该开关模块采用鳍线并联PIN二极管电路结构形式,通过采用一种全新的高隔离度措施,获得高隔离、低插损开关特性。经加工测试,开关模块在50~56 GHz频带内隔离度大于50 dB,插损小于2.3 dB。该模块已应用于5 mm射频组件中。

毫米波单刀双掷开关的设计与制作

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以0.25μm GaAs PHEMT为基础,介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程,并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了PHEMT开关建模的重要性,解决了建模中的关键问题,包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取,建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型。单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑,开关的测试采用了微波探针在片测试系统,在18~30 GHz获得了优异的电性能,插入损耗IL≤1.5 dB,输入/输出驻波比VSWR≤1.5∶1,关断状态下的隔离度ISO≥30 dB,芯片尺寸为1.2 mm×1.8 mm×0.1 mm。

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单刀双掷开关电路图说明

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