几款不错的场效应管功放电路图 几款不错的场效应管功放电路图 场效应管多管并联输出， 500W。 场管跟普功率最大不同就是场管是用电压驱动， 在驱动级上有些不一样， 没弄过场管功放， 音质怎要看你设计和工艺！ IRFB33N15D 是一颗非常好的 MOS 管，其导通内阻低达 56m，最大电流为 33A，耐压却 有 150V，常用于 DC/DC 的变换器中，当然，在数字功放中，也经常应用。 其也有不足的地方，其输入电容为 2020pF，和常见的 MOS 管一样，在驱动它时，就要采 用特殊电路来驱动，如同你的电路中的 R29和 D3 并联电路，也是业界惯用手法，其作用 是： 当没有 R29时，Q7的栅极直接接前面的 IC 引脚，其内部都是图腾柱电路， 由于是容性负 载，都会有振荡产生，从而使驱动波形出现振铃现象，产生的后时是， MOS 管开启不够， 内阻大，效率低。 串入 R29可以消除这种振荡
场效应管基础知识介绍 一、场效应三极管的型号命名方法 第二种命名方法是 CS××#， CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号， #用字母代表同一型号中的不同规格。 例如 CS14A、CS45G等。 二、场效应管的参数 1、 I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压 U GS=0时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压 U GS — 对漏极电流 I D的控制能力，即漏极电流 I D变化量与栅源电压 UGS变化量的比值。 gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压 UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数， 加
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