以Synopsys推出的TCAD软件TSUPREM-Ⅳ和Medici为蓝本,结合100nm栅长PMOSFET的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路DFM阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。
随着芯片制造工艺的不断发展,超大规模集成电路集成度不断提高,体积不断缩小.纳米工艺一方面带来产品规模、产品性能的提升,另一方面带来了产品可靠性,不可信制造和测试效率、测试覆盖率等诸多问题.为应对这些问题,设计工程师和测试工程师研发了很多新的方法,分析了超大规模集成电路在可靠性设计和测试技术发展的最新进展,最后指出了VLSI可靠性设计和测试技术的发展方向.
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