山东科技大学工程硕士学位论文 跨导运算放大器及其 Spice电路模型的构建 2.1 CMOS 模拟集成电路基本单元 2.1.1 MOS 场效应管的基本结构 绝缘栅场效应管又叫作 MOS 场效应管，意为金属 -氧化物 -半导体场效应管。图 2.1 为 MOS 场效应管的结构和电路符号。图中的 N型硅衬底是杂质浓度低的 N型硅薄片。 在它上面再制作两个相距很近的 P区，分别引为漏极和源极， 而由金属铝构成的栅极则 是通过二氧化硅绝缘层与 N型衬底及 P型区隔离。这也是绝缘栅 MOS 场效应管名称的 由来。因为栅极与其它电极隔离， 所以栅极是利用感应电荷的多少来改变导电沟道去控 制漏源电流的。 MOS场效应管的导电沟道由半导体表面场效应形成。 栅极加有负电压， 而 N 型衬底加有正电压。由于铝栅极和 N型衬底间电场的作用，使绝缘层下面的 N 型 衬底表面的电子被排斥，而带正电的空穴被吸引到表面上
通过引入不同的导纳变换器,提出了基于LTCC(low temperature cofired ceramics)技术的电容性耦合、电感性耦合、电容-电感混合耦合的微波带通滤波器集总电路模型,每一种模型都给出了具体的设计公式。从理论上分析了三种模型各自的优缺点,并用电路仿真软件ADS进行验证,为集总参数元件微波带通滤波器的电磁仿真和实际制作提供了理论依据。
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