正向电压温度影响

在环境温度升高时,正向特性曲线将左移,反向特性曲线将下移,如图1:正向电压特性受温度影响曲线图所示。在室温附近,温度每升高1℃,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10℃,反向电流约增大一倍。

正向电压材料影响

不同的材料对应的正向电压的值不同,相应的正向电压的变化特性也不同。

正向电压造价信息

市场价 信息价 询价
材料名称 规格/型号 市场价
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行情 品牌 单位 税率 供应商 报价日期
电压 品种:断路器附件;型号:30;流规格:250A; 查看价格 查看价格

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13% 西安新驰电气有限公司
电压 品种:断路器附件;型号:30;说明:注;流规格:125A; 查看价格 查看价格

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13% 西安新驰电气有限公司
电压 品种:断路器附件;型号:30;说明:注;流规格:800A; 查看价格 查看价格

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电压 品种:断路器附件;型号:30;流规格:125A; 查看价格 查看价格

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电压 品种:断路器附件;型号:30;说明:注;流规格:63A; 查看价格 查看价格

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电压 品种:断路器附件;型号:30;流规格:800A; 查看价格 查看价格

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电压 品种:断路器附件;型号:30;说明:注;流规格:1250A; 查看价格 查看价格

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电压 品种:断路器附件;型号:30;流规格:400A; 查看价格 查看价格

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材料名称 规格/型号 除税
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行情 品牌 单位 税率 地区/时间
木工 600mm 查看价格 查看价格

台·月 深圳市2010年7月信息价
木工 600mm 查看价格 查看价格

台·月 深圳市2010年5月信息价
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木工 600mm 查看价格 查看价格

台·月 深圳市2010年6月信息价
木工刨床 刨削宽度单面600 查看价格 查看价格

台班 汕头市2012年4季度信息价
木工刨床 刨削宽度单面600 查看价格 查看价格

台班 汕头市2012年2季度信息价
木工刨床 刨削宽度单面600 查看价格 查看价格

台班 汕头市2012年2季度信息价
木工刨床 刨削宽度三面400 查看价格 查看价格

台班 汕头市2012年2季度信息价
材料名称 规格/需求量 报价数 最新报价
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供应商 报价地区 最新报价时间
电压变送器 电压变送器|1支 1 查看价格 广东春雷环境工程有限公司 广西  玉林市 2017-12-05
电压并列装置 电压并列装置|1套 1 查看价格 中建普联    2014-08-01
电压转换 LW8-10YH3/3|1个 2 查看价格 四川威特电力设备有限公司 四川   2018-01-25
电压转换 LW8-10YH3/3|1个 1 查看价格 重庆华美电气有限公司 四川   2018-01-09
电压 QSM1QS90、 225型(3极)|7167个 1 查看价格 澳洲奇胜电器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-12-16
电压 QSM1QS90、800型(4极)|2815个 1 查看价格 澳洲奇胜电器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-12-02
电压 QSM1QS90 、100型(3极)|2224个 1 查看价格 澳洲奇胜电器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-10-24
电压 QSM1QS90 、225型(4极)|915个 1 查看价格 澳洲奇胜电器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-08-19

当电源的正极与二极管的正极相连,电源的负极与二极管的负极相连,此时的电压为正向电压;当电源的正极与二极管的负极相连,电源的负极与二极管的正极相连,此时的电压为反向电压。 二极管是半导体器件,半导体二极管器件的基础。当PN结两端加正向电压(即P侧接电源的正极,N侧接电源的负极),此时PN结呈现的电阻很低,正向电流大(PN结处于导通状态)。相当于在两端加上了正向电压,它处于导通状态,电阻很小,此电阻叫正向电阻,只有几欧姆,如有灯泡和它串联,灯泡会发光;当PN结两端加反向电压(即P侧接电源的负极,N侧接电源的正极),此时PN结呈现很高的电阻,反向电流微弱(PN结处于截止状态),这就是PN结的单向导电性。当在两端加上反向电压时,它处于截止状态,电阻很大,此电阻叫反向电阻,有几千欧姆,如有灯泡和它串联,灯泡不发光。

在外电场作用下,多子将向PN结移动,结果使空间电荷区变窄,内电场被削弱,有利于多子的扩散而不利于少子的漂移,扩散运动起主要作用。这个内电场就是二极管导通后的压降,它是内电场形成的,所以不能变化。

实际上,当电流较大时则要考虑二极管电阻分量的压降了,目前知道,二极管除了具有PN结,还具有半导体材料的体电阻,封装绑定线的电阻及引脚的电阻,由于电阻的分压,随着电流的增大二极管压降也会增大,这些电阻分量在几百mA至几A的情况下,压降是很明显的,可以认为,在小电流时主要由伏安特性决定压降,而大电流时则主要由体电阻决定压降。

正向电压特点常见问题

正向电压法测量LED灯具的结温

随着绿色低碳理念的倡导,具有高效节能、绿色环保等优点的以LED为光源的灯具(以下简称“LED灯具”)在全球范围内得到迅猛的发展。LED灯具的寿命无疑是其质量特性的一个重要指标。测量LED结温的常用方法有红外热像仪法、正向压降法、光谱法以及光热阻扫描法等等,其中正向压降法最为常用。根据的是LED正向电压随温度变化的原理。

影响镁合金表面微弧氧化膜层厚度

用微弧氧化技术,以30g/L的磷酸钠为电解液,利用系统的XRD手段研究了正向电压对AZ31镁合金表面微弧氧化膜层不同厚度的相组成,计算出晶粒尺寸、晶面间距和残余应力的分布规律。结果表明:电压不同膜层中各深度相的衍射峰强度、相组成和结晶度都不同,晶粒尺寸随电压增加而变粗,且同一电压制备的膜层在同一晶向不同厚度的晶粒尺寸不一样,其值呈至膜层表面距离减小而减小,晶面间距也呈减小趋势;MgO相组成的涂层残余应力处于拉应力,其值随电压增加而显著减小。 2100433B

正向电压特点文献

关于LED单灯正向电压V_F不良的探讨 关于LED单灯正向电压V_F不良的探讨

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页数: 4页

评分: 4.7

文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间的结合被破坏,欧姆接触电阻变大。对于GaAs基单电极芯片,由于封装材料和工艺因素,导致芯片背金(N-electrode)与银胶,或银胶与支架之间的接触电阻变大,从而LED正向电压VF升高。LED正向电压VF降低最常见的原因为芯片PN结被ESD或外界大电流损伤或软击穿,反向漏电过大,失去了二极管固有的I-V特性。

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一种利用发光光谱估计LED正向电压的方法 一种利用发光光谱估计LED正向电压的方法

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提出了一种通过发光光谱估计发光二极管(LED)正向电压的方法。推导了LED正向电压与结温的关系,探讨了利用发光光谱估计结温的方法,从而建立了发光光谱和正向电压的联系。本文方法不需要直接测量结温和理想因子等参数,只由发光光谱就可得到较为准确的LED正向电压值。实验结果表明,正向电压的光谱估计值和实际测量值能够较好的吻合。

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一般情况下,正向电压1V左右就可以“击穿”二极管,此时称为正向击穿,不过我们称之为不导通。工作于正向偏置的PN结,当通过的电流过大时,将会使它的功率损耗过大而烧坏,但由于正向偏置的PN结两端电压很低(锗PN结约为0.2V左右,硅PN结约为0.7V左右),故当加在PN结两端的正向电压过大时会使PN结发生击穿,称为正向击穿。而工作于反向偏置的PN结,当反偏电压过高时,将会使PN结击穿,如击穿后又未限制流过它的反向击穿电流,将会使击穿成为永久性的、不可逆的击穿,从而造成其彻底损坏。

《电气工程名词》 2100433B

1998年,经全国科学技术名词审定委员会审定发布。

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