无触点可控硅开关技术参数

额定电压:低压系统450V及以下

额定频率:50Hz

控制容量:三相60Kvar及以下，单相20Kvar及以下。

安装海拔:2000米及以下

运行环境:温度-25℃~+45℃，相对湿度不超过90%，周围环境应有良好的通风条件。

控制电压:DC +12V

控制电流:20mA

投入涌流:小于2In

投切次数:大于50万次

1、等电位过零技术，实现电压过零时导通、电流为零时切除，确保投入无冲击涌流、切除无过电压。

2、选用优质大功率、高耐压(反向耐压1600V)可控硅模块，经多年实际项目运行，其工作稳定可靠。

3、成熟稳定的抗干扰电路设计，确保调节器长期稳定工作。

4、使用寿命达10万小时以上，免维护，投切时间小于20ms。

5、元件布局合理、结构设计紧凑;接线、安装方便，调试简单。

可控硅无触点开关:由大功率反并联晶闸管模块、光电隔离电路、触发电路、保护电路、散热装置等组成。用于低压400V系统容性负载的通断控制，无冲击涌流，无过压，工作时无噪音，允许频繁投切，安装、接线简单方便，特别适合配套快速投切SVC低压动态无功补偿装置使用。

无触点开关分为磁放大器式无触点开关，电子管、离子管式无触点开关和半导体无触点开关。各种无触点开关的内部结构不同，开关特性也有所不同，详细了解每种类型的内部开关原理以及开关特性，有利于开发人员根据控制系统的要求选择合适的无触点开关。磁放大器式无触点开关体积与重量较大且电流转换速度慢，已较少采用；电子管、离子管式无触点开关由于电子管、离子管的功率不能做得很大，在实际应用中受到了很大的限制，也已较少使用。

半导体无触点开关是借电路中半导体器件的可控导通性来实现电路通断的一种开关电器。它是20世纪50年代后发展起来的一种开关，可用晶体管或晶闸管组成，由于晶体管受到功率的限制，大都采用晶闸管及其控制电路组成。半导体无触点开关的优点是：电流可以做得较大，耐反压值高，控制门极功耗小，导通和关断时间短，工作寿命长，环境适应性好，工作效率高等。 例如，对有触点的接触器，操作频率高于36次/h以上时就很困难了，但对半导体式无触点开关则操作频率每小时可达数万次至数十万次以上。