可控硅无触点开关:由大功率反并联晶闸管模块、光电隔离电路、触发电路、保护电路、散热装置等组成。
中文名称 | 无触点可控硅开关 | 类型 | 开关 |
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额定电压 | 低压系统450V及以下 | 额定频率 | 50Hz |
1、等电位过零技术,实现电压过零时导通、电流为零时切除,确保投入无冲击涌流、切除无过电压。
2、选用优质大功率、高耐压(反向耐压1600V)可控硅模块,经多年实际项目运行,其工作稳定可靠。
3、成熟稳定的抗干扰电路设计,确保调节器长期稳定工作。
4、使用寿命达10万小时以上,免维护,投切时间小于20ms。
5、元件布局合理、结构设计紧凑;接线、安装方便,调试简单。
额定电压:低压系统450V及以下
额定频率:50Hz
控制容量:三相60Kvar及以下,单相20Kvar及以下。
安装海拔:2000米及以下
运行环境:温度-25℃~+45℃,相对湿度不超过90%,周围环境应有良好的通风条件。
控制电压:DC +12V
控制电流:20mA
投入涌流:小于2In
投切次数:大于50万次
可控硅无触点开关:由大功率反并联晶闸管模块、光电隔离电路、触发电路、保护电路、散热装置等组成。用于低压400V系统容性负载的通断控制,无冲击涌流,无过压,工作时无噪音,允许频繁投切,安装、接线简单方便,特别适合配套快速投切SVC低压动态无功补偿装置使用。
无触点可控硅开关的特点,等电位过零技术,实现电压过零时导通、电流为零时切除,确保投入无冲击涌流、切除无过电压。2、选用优质大功率、高耐压(反向耐压1600V)可控硅模块,经多年实际项目运行,其工作稳定...
无触点开关在电磁兼容性、可靠性、安全性等方面的优越性是触点开关无法比拟的。无触点开关是用可控硅来控制的,因此它是在PN结内部完成导通和截流的,不会有火花,弥补了触点开关复合时有火花的不足,避免因电流过...
可控硅开关输出量可连续变化,复合开关输出不连续,为阶梯式变化。
简述了双向可控硅(SCR)无触点彩灯控制电路,该电路克服了原继电器彩灯控制电路功耗大,噪声大,故障率高的缺点,是新颖实用的建筑电气电路。
第一炼钢厂160 t和180 t冶金铸造桥式起重机的大车换向接触器,使用中频繁发生主触头烧损故障。针对故障,采用可控硅无触点接触器对其进行技术改造,解决了问题。
无触点开关分为磁放大器式无触点开关,电子管、离子管式无触点开关和半导体无触点开关。各种无触点开关的内部结构不同,开关特性也有所不同,详细了解每种类型的内部开关原理以及开关特性,有利于开发人员根据控制系统的要求选择合适的无触点开关。磁放大器式无触点开关体积与重量较大且电流转换速度慢,已较少采用;电子管、离子管式无触点开关由于电子管、离子管的功率不能做得很大,在实际应用中受到了很大的限制,也已较少使用。
半导体无触点开关是借电路中半导体器件的可控导通性来实现电路通断的一种开关电器。它是20世纪50年代后发展起来的一种开关,可用晶体管或晶闸管组成,由于晶体管受到功率的限制,大都采用晶闸管及其控制电路组成。半导体无触点开关的优点是:电流可以做得较大,耐反压值高,控制门极功耗小,导通和关断时间短,工作寿命长,环境适应性好,工作效率高等。 例如,对有触点的接触器,操作频率高于36次/h以上时就很困难了,但对半导体式无触点开关则操作频率每小时可达数万次至数十万次以上。
无触点开关分为磁放大器式无触点开关,电子管、离子管式无触点开关和半导体无触点开关。各种无触点开关的内部结构不同,开关特性也有所不同,详细了解每种类型的内部开关原理以及开关特性,有利于开发人员根据控制系统的要求选择合适的无触点开关。磁放大器式无触点开关体积与重量较大且电流转换速度慢,已较少采用;电子管、离子管式无触点开关由于电子管、离子管的功率不能做得很大,在实际应用中受到了很大的限制,也已较少使用。
半导体无触点开关是借电路中半导体器件的可控导通性来实现电路通断的一种开关电器。它是20世纪50年代后发展起来的一种开关,可用晶体管或晶闸管组成,由于晶体管受到功率的限制,大都采用晶闸管及其控制电路组成。半导体无触点开关的优点是:电流可以做得较大,耐反压值高,控制门极功耗小,导通和关断时间短,工作寿命长,环境适应性好,工作效率高等。 例如,对有触点的接触器,操作频率高于36次/h以上时就很困难了,但对半导体式无触点开关则操作频率每小时可达数万次至数十万次以上。
可控硅开关图
复合开关图
可控硅开关和复合开关是现在无功补偿装置主要的投切元件,那么两者到底区别在哪里呢?
可控硅开关也叫调节器,采用大功率反并联晶闸管模块、隔离电路、触发电路、保护电路及散热装置等元件组成。容易受涌流的冲击而损坏,因此可控硅必须过零触发,当可控硅两端电压为零的瞬间发出触发信号。过零触发技术可以实现无涌流投入电容器,另外由于可控硅的触发次数没有限制,可以实现准动态补偿(响应时间在毫秒级)。可控硅导通电压降约为1V左右,损耗很大(以每相额定电流为60A为例,则三相三控可控硅额定导通损耗为60×1×3=180W),必须加装大面积的散热片和冷却风机。晶闸管对电压变化率(dv/dt)非常敏感,遇到操作过电压及雷击等电压突变的情况很容易误导通而被涌流损坏,即使安装避雷器也无济于事,因为避雷器只能限制电压的峰值,并不能降低电压变化率。可控硅开关反应速度快,重复投切时间短适用于负荷(轧机、点焊机、行吊等)频繁变化的场合。
复合开关,把磁保持和可控硅开关二者巧妙地结合来,优势互补,发挥磁保持继电器运行功耗小和可控硅开关过零投切的优点,是一个较为理想的投切元件。这种投切开关不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗较低,不需要加装散热器和冷却风扇。要把二者结合起来的关键是相互之间的时序配合必须默契,可控硅开关负责控制电容器的投入和切除,磁保持继电器负责保持电容器投入后的接通,当磁保持投入后可控硅开关就立即退出运行,这样就避免了可控硅元件的发热。复合开关适用于负荷变化不快的城网、农网、房地产等场合。现已批量用于山东电网户外JP柜中。
根据以上对比可以发现两者区别如下