刻蚀机
刻蚀机是一种用于电子与通信技术领域的工艺试验仪器，于2012年5月14日启用。
刻蚀机基本信息
| 中文名 | 刻蚀机 | 产 地 | 英国 |
|---|---|---|---|
| 学科领域 | 电子与通信技术 | 启用日期 | 2012年5月14日 |
| 所属类别 | 工艺试验仪器 > 电子工艺实验设备 > 半导体集成电路工艺实验设备 | ||
三五簇材料的台面及沟槽刻蚀。
刻蚀机造价信息
均匀性±5%。
刻蚀机常见问题
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应该是用的吧，能和玻璃的主要成分二氧化硅反应。要能腐蚀玻璃的才行，B能与玻璃中的SiO2反应。烧碱碱反应很慢，而且光滑的表面还不能腐蚀。其他的不能反应。希望我的回答对你有帮助
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一般按张来算，一张多少钱加工费。
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书画印章当然要人工刻
刻蚀机文献
不锈钢的刻蚀
1 不锈钢刻蚀 【摘要】 本文依据工业生产原理 ，设计了新的能处理较大面积工件的化学刻蚀装置，研究 了实验室条件下对不锈钢进行图纹装饰的方法和工艺。 通过上感光材料、感光、刻蚀、 上色等工艺实现了不锈钢的图案刻蚀，成功地制作出一批作品。 【关键词】 图纹装饰，不锈钢板，感光材料，刻蚀。 Etching on Stainless Steel Sheet Zhao Libing Chen Peixian Li Jiahang Long Jieming Wang Junxia Liu Chang Zhang Zhijun Liu Xiaofang Lu Yujing Xie Guangbin L ü Xueyi （Class 99, School of Chemistry and Chemical Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzh
干法刻蚀工艺总结
干法刻蚀工艺总结 离子束刻蚀机（ IBE-150A） 背景 : 利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子， 氩离子经过阳极电场的加速对样品表面 进行物理轰击， 以达到刻蚀的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之类惰性气体充入离子源放 电室并使其电离形成等离子体， 然后由栅极将离子呈束状引出并加速， 具有一定 能量的离子束进入工作室， 射向固体表面撞击固体表面原子， 使材料原子发生溅 射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。 技术指标： 装片：一片六英寸衬底、或 1片四英寸，向下兼容。 抽气速度： 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 极限真空度： 2×10-4Pa 离子能量： 300eV-400eV ICP 刻蚀机（ OXFORD ICP 180） 背景 : 通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解， 产生的具有强化学活性 的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面， 对样品表面既进行化学
等离子刻蚀机湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点
1. 硅片水平运行，机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小);
2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3. 传动滚抽易变形(PVDF，PP材质且水平放置易变形);
4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外，有些等离子刻蚀机，如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上，以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式--需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不带电托架上，以便取得微小的等离子体效果。
定制模式--当平面刻蚀配置不过理想时，特制的电极配置可以提供。
TCP刻蚀机的刻蚀分辨率：100nm；基片尺寸：2英寸、4英寸。
本设备能精确控制刻蚀速率、适用于对均匀性要求高的刻蚀和不易湿法刻蚀的薄膜： 1. 选择比（刻蚀速率比）： SiOx/Mo5，SiOx/Al20，SiOx/ITO＞20，SiOx/SiNx＞1，SiNx/SiOx＞5，a-Si/光刻胶1， SiOx/光刻胶1， SiNx/光刻胶1； 2. ★ 刻蚀速率：SiO2 ＞80 nm/min，SiNx＞150 nm/min，a-Si＞150 nm/min，p-Si＞100 nm/min，ITO＞30 nm/min，光刻胶灰化速率＞300 nm/min； 3。
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