开关二极管是半导体二极管的一种,是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短,常见的有2AK、2DK等系列,主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。
中文名称 | 开关二极管 | 外文名称 | switch diode |
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材料 | 半导体、氧化物 |
开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间;从导通到截止的时间叫反向恢复时间;两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间,故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的,像硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒,即使是锗开关二极管,也不过几百纳秒。
开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点,广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。
开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。
常用的国产普通开关二极管有2AK系列锗开关二极管,表4-8为2AK系开关二极管的主要参数。
高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短,开、关频率更快。
常用的国产高速开关二极管有2CK系列。
进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列(有引线塑封)和RLS系列(表面安装)。
常用的超高速二极管有1SS系列(有引线塑封)和RLS系列(表面封装)。
低功耗开关二极管的功耗较低,但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二极管低。
常用的低功耗开关二极管有RLS系列(表面封装)和1SS系列(有引线塑封)。
高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上,但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。
常用的高反压开关二极管有RLS系列(表面封装)和1SS系列(有引线塑封) 。
硅电压开关二极管是一种新型半导体器件,有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分,主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。
单向电压开关二极管也称转折二极管,邮PnPN四层结构的硅半导体材料组成,其正向为负阻开关特性(指当外加电压升高到正向转折电压值时,开关二极管由截止状态变为导通状态,即由高阻转为低阻),反向为稳定特性。双向电压二极管由NPnPN五层结构的硅半导体材料组成,其正向和反向均具有相同的负阻开关特性。
半导体二极管导通时相当于开关闭合(电路接通),截止时相当于开关打开(电路切断),所以二极管可作开关用,常用型号为1N4148。由于半导体二极管具有单向导电的特性,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电阻很小,约为几十至几百欧;在反向偏压下,则呈截止状态,其电阻很大,一般硅二极管在10ΜΩ以上,锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性,二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用,成为一个理想的电子开关。
以上的描述,其实适用于任何一支普通的二极管,或者说是二极管本身的原理。但针对于开关二极管,最重要的特点是高频条件下的表现。
高频条件下,二极管的势垒电容表现出来极低的阻抗,并且与二极管并联。当这个势垒电容本身容值达到一定程度时,就会严重影响二极管的开关性能。极端条件下会把二极管短路,高频电流不再通过二极管,而是直接绕路势垒电容通过,二极管就失效了。而开关二极管的势垒电容一般极小,这就相当于堵住了势垒电容这条路,达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效果。
如果输入电压大于VCC,那上面的二极管导通,把A/D输入电压嵌位在VDD加一个导通电压(一般0.2~~0.75伏左右),低于GND时,下面的二极管导通,把电位嵌位在负的0.2~~0.75付之间...
开关二极管的用法:1、用作开关电路。在导通状态下,二极管在正向电压作用下电阻很小,相当于一只接通的开关;在截止状态下,电阻很大,如同一只断开的开关。利用这种特性,可以组成各种逻辑电路。2、作为温度检测...
半导体二极管导通时相当于开关闭合(电路接通),截止时相当于开关打开(电路切断),所以二极管可作开关用,常用型号为1N4148。由于半导体二极管具有单向导电的特性,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电...
1.开关二极管的作用 开关二极管的作用是利用其单向导电特性使其成为一个较理想的电子开关。 图 4-10 是开关二极管的应用电路。 开关二极管除能满足普通二极管和性能指标要求外,还具有良好的高频开关特性(反向恢复时间较短),被广 泛应用于家电电脑、电视机、通信设备、家用音响、影碟机、仪器仪表、控制电路及各类高频电路中。 开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极 管、硅电压开关二极管等多种。 开关二极管的封装形式有塑料封装和表面封装等。如图 4-11 所示。 2.普通开关二极管 常用的国产普通开关二极管有 2AK 系列锗开关二极管,表 4-8 为 2AK 系开关二极管的主 要参数。 3.高速开关二极管 高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短,开、关频率更快。 常用的国产高速开关二极管有 2CK 系列,见表 4-9。 进口高速开关
开关二极管实用知识及应用电路分析 用于电子开关电路中的二极管称为开关二极管。 ? ? 开关二管同普通的二极管一样 ,也是一个 PN 结的结构 ,不同之处是要求这种 二极管的开关特性要好。 ? ? 小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等 ,也有在高温下还可能工作的 硅扩散型、台面型和平面型二极管。 2AK 型点接触型为中速开关管 ,2CK 型平 面接触型为高速开关管 ,肖特基 (SBD)硅大电流开关管正向压降小、速度快、 效率高。肖特基型二极管的开关时间特短 ,因而是理想的开关二极管。 ? ? 1.开关特性 ? ? 当给开关二极加上正向电压时 ,二极管处于导通状态 ,这相当于开关的通态。 当给开关二极管加上反向电压时 ,二极管处于截止状态 ,这相当于开关的断态。 开关二极管就是利用这种特性 ,且通过制造工艺 ,使这种二极管的开关特性更好 ,即 开关速度更快 ,PN结的结电容更小 ,导通时的
开关二极管:
1、开关二极管开关速度高,即应用频率高。
2、开关二极管高频性能良好,主要用于开关电路作为电子开关使用。 整流二极管:
1、整流二极管用在工频大电流领域。
2、整流二极管一般高频性能不是很好(开关电源中的整流二极管高频性能也很好),主要用于对工频电流整流。它通常工作于高电压大电流状态。
当然,在选取中,也要根据电路的具体情况而定,具体的参数还需参考规格书。
高速开关二极管
第1章概述/001
1.1超小CLCC(UB)金属陶瓷管壳003
1.1.1超小CLCC-3(UB)金属陶瓷基片技术研究进展006
1.1.2超小CLCC-3(UB)金属陶瓷研究现状007
1.2开关二极管芯片008
1.2.1开关二极管晶体硅的掺杂008
1.2.2开关二极管国内外研究现状012
1.2.3中国现有开关二极管制造技术012
1.3超小CLCC(UB)金属陶瓷器件封装013
1.3.1电子封装技术国内外研究现状013
1.3.2金基合金焊料015
1.4主要研究内容019
第2章试验材料与研究方法/022
2.12CK6642UB芯片制备与分析022
2.1.1试验材料022
2.1.2试验方法022
2.1.3测试方法029
2.2超小CLCC-3(UB)金属陶瓷器件芯片焊接与分析031
2.2.1试验材料031
2.2.2试验方法031
2.2.3测试方法033
2.3超小CLCC-3(UB)金属陶瓷器件封帽焊接与分析035
2.3.1试验材料035
2.3.2试验方法035
2.3.3测试方法036
2.4超小2CK6642UB型开关二极管器件可靠性考核037
2.4.1参照标准037
2.4.2可靠性考核038
第3章2CK6642UB芯片磷扩散及分析/040
3.1温度对磷扩散均匀性影响的仿真模拟041
3.1.1建立几何模型041
3.1.2建立有限元网格044
3.1.3求解器求解045
3.1.4均匀性分析049
3.2混合气体配比对磷扩散均匀性影响的仿真模拟052
3.2.1求解器求解052
3.2.2均匀性分析053
3.3石英舟位置对磷扩散影响均匀性的仿真模拟056
3.3.1建立几何模型056
3.3.2求解器求解057
3.3.3均匀性分析058
3.4高温液态源磷扩散试验061
3.4.1温度对磷扩散均匀性的影响061
3.4.2混合气体配比对磷扩散均匀性的影响062
3.4.3石英舟位置对磷扩散均匀性的影响064
3.5小结065
第4章2CK6642UB芯片硼扩散及分析/066
4.12CK6642UB芯片参数设计067
4.1.12CK6642UB芯片纵向参数设计068
4.1.22CK6642UB芯片横向参数设计070
4.1.3扩散总周长设计070
4.1.4板图设计070
4.22CK6642UB芯片硼扩散仿真模拟072
4.2.1求解器求解072
4.2.2均匀性分析073
4.32CK6642UB芯片硼扩散075
4.4硼掺杂硅片特性076
4.4.1硅片掺杂特性曲线076
4.4.2硅片方块电阻080
4.5扩散层微观组织结构081
4.6小结084
第5章2CK6642UB芯片焊接及分析/086
5.1正交试验设计与初步分析087
5.1.1芯片焊接接头剪切强度088
5.1.2芯片焊接接头X射线检测089
5.1.3芯片焊接接头截面形貌089
5.2焊接温度对芯片焊接接头的影响091
5.2.1芯片焊接接头表面及截面形貌092
5.2.2芯片焊接接头物相组成093
5.2.3芯片焊接接头微观组织结构096
5.3焊片与芯片面积比对芯片焊接接头的影响100
5.3.1芯片焊接接头表面及截面形貌101
5.3.2芯片焊接接头物相组成102
5.3.3芯片焊接接头微观组织结构102
5.4小结106
第6章2CK6642UB封帽焊接及分析/107
6.1正交试验设计与初步分析108
6.1.1封帽焊接水汽含量109
6.1.2封帽焊接样品X射线检测110
6.1.3封帽焊接接头截面形貌110
6.2焊接温度对封帽焊接接头的影响113
6.2.1封帽焊接接头表面及截面形貌113
6.2.2封帽焊接接头物相组成115
6.2.3封帽焊接接头微观组织结构120
6.3超小CLCC-3(UB)封帽焊接检验126
6.3.1超小CLCC-3(UB)封帽焊接气密性检验126
6.3.2超小CLCC-3(UB)封帽焊接内部水汽含量检测128
6.4小结129
第7章2CK6642UB型硅开关二极管的可靠性考核/131
7.1功能性能分析132
7.1.1测试覆盖性分析132
7.1.2测试结果及产品对比135
7.2极限试验147
7.2.1步进功率极限试验147
7.2.2耐反向电压能力试验148
7.2.3交变温度应力极限试验148
7.2.4热冲击极限试验148
7.2.5随机扫频振动极限试验149
7.3寿命考核强化试验149
7.4失效情况150
7.5小结150
参考文献/152 2100433B