非常通用的一种高频开关二极管。包括DO35、LL34、SOD323、SOT23、0805封装均有。
75V反向耐压和150mA平均正向电流,非常适合一般场合做普通整流用。
4pF的结电容和4nS的反向恢复时间足够满足多数场合使用。
非常易于获得,以及价格低廉,通用性极广的一个小信号高频二极管。
1N4148参数
二极管类型:高频小信号
电流:正常正向电流 If:150mA ; 最大正向电流 Imax:300mA; 最大重复峰值电流 Ifs:450mA
电压:最大重复峰值电压 Umax:100V; 最大连续反向电压 Urrm:75V; 最大正向电压 Uf :1V
时间:反向恢复时间 trr :4ns
功率:最大功耗 Ptot:500mW
封装:玻璃封装:SOD-27(DO-35)
针脚数:2
外径:1.85mm
外部长度(高度):4.25mm
结温:最高结温 Tj :200℃
表面安装器件:轴向引线
1N4148和1N5819的区别:
高频、低压、大电流特性是1N5819二极管与普通二极管的不同点,它广泛被应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流、续流、保护二极管使用。
1N5819的特点是速度超快(开关损耗低),正向压降特低(电压损耗低),不过反向耐压也低,通常少于60V,适用于低压(不高于12V)开关电源。
1N5819二极管的另一个用途是稳压,利用其反向特性。所以,耐压低,而电流又不大的时候,可以考虑用稳压管代替。
1N4148是点接触型的小电流高频开关二极管,速度高,不过工作电流才150mA,广泛用于信号频率较高的电路。
1N5819管的反向漏电比较大一点,但是电容小,速度快。但是还没1N4148快,毕竟1N4148的用途是高频检波,而不是整流。
1N4148和1N4007的区别:
■1N4148和1N4007在一般小电流(100mA以下,反向电压100V以下)、不重要场合可应急能互相替换,
■1N4148是小电流开关管,100V耐压,
■1N4007是整流管,1A-1000V.代用型号都很多的种类.
型号 |
电流(A) |
电压(V) |
---|---|---|
1N4001 |
1 |
50 |
1N4002 |
1 |
100 |
1N4003 |
1 |
200 |
1N4004 |
1 |
400 |
1N4005 |
1 |
600 |
1N4006 |
1 |
800 |
1N4007 |
1 |
1000 |
如何辨别二极管阴阳极(阳极Anode;阴极Cathode)
贴片:
插件:
2100433B
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一般0.7V才导通,但从数据手册上看最低导通电压为0.62V电压(voltage),也称作电势差或电位差,是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。其大小等于单位正电荷因受电场力作用...
二极管In4148详细参数:电流:正常正向电流 If:150mA ; 最大正向电流 Imax:500mA; 最大重复峰值电流 Ifs:450mA电压:最大重复峰值电压 Umax:100V; 最大连续反...
贴片 1N4148玻璃圆柱形封装名称是什么? 1N14148是一款贴片二极管二极管是用半导体晶体材料制成的,所以,又称晶体 二极管。它是具有一个 PN结的非线性元件。半导体二极管的两个电极之间的正向电阻 和反向电阻相差很大,所以,它具有单向导电性。半导体二极管种类、型号很多。按 封装形式可分为玻璃管封装型,塑料封装型、厚膜封装型;一、二极管的分类 根据 用途不同常用二极管可分下列几类: 开关二极管、整流二极管、稳压二极管、发光二 极管、瞬变抑制( TVS)二极管、肖特基(势垒)二极管、快恢复二极管等。 根据 所用的半导体材料,可分为锗二极管( Ge管)和硅二极管( Si管)。下面将重点介绍 1N14148贴片二极管的封装和型号命名 :二、1N14148概述 是一种小型的高速 开关二极管属于高频小信号类型。非常适合一般场合做普通整流用。开关比较迅速, 广泛用于信号频率较高的电路进行单向导
合金钢PPT课件(20201014144848)
一 元件篇
1 什么是电阻器的标称阻值和误差?
2 如何识别色环电阻器的阻值和误差?
……
二 分立器件篇
86 如何用万用表测量二极管的好坏?
87 有的普通二极管(如1n4148)和0.5W的稳压二极管,其外形都和图2-2所示形状相同,如何区分这两种二极管?
……
三 集成电路篇
157 集成电路有哪些主要类型?
158 购买集成电路后,往往不知管脚的排列顺序,应从哪边开始计数?
……
四 传感器篇
210 压电陶瓷片的工作原理是什么?业余条件下如何判断压电陶瓷片的好坏?
……
五 其他篇
附录一 常用电气图用图形符号及文字符号
附录二 部分新旧电气图形符号对照
附录三 指针式万用表使用方法
R1一R20选用1/4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。
RP选用合成膜电位器。
C选用耐压值为lOV以上的铝电解电容器。
VD1一VD6均选用1N4148型硅开关二极管。
VLl一VL6均选用2EF302型三端双色发光二极管。
V选用3DG6或58050、59013等型号的硅NPN晶体管。
IC1和IC2均选用CD4069或C033型六非门集成电路。
器件标示 |
器件名称 |
器件参数 |
R1 |
碳膜电阻 |
47KΩ/0.25W |
R2 |
碳膜电阻 |
1KΩ/0.25W |
R4 |
碳膜电阻 |
20Ω/1W |
C1 |
电解电容 |
10uF/25V |
C2 |
瓷片电容 |
0.1uF/25V |
C3 |
瓷片电容 |
0.01uF/25V |
Q1 |
NPN三极管 |
8050 |
D1 |
稳压二极管 |
5.1V/1W |
D2 |
开关二极管 |
1N4148 |
Dm |
发光二极管 |
LED |